レーザーアシストダイボンディング

著者: Dr. Carlo Pagano
要約: ファインテック社のレーザーアシストボンディング技術は、C2S又はC2W のアプリケーションで、局所的加熱、高い位置精度、高速度接合を実現します。温度のサイクル時間を最速に調整する事が可能で、表面の酸化防止と製造工程に於けるサイクルタイムの最速化を図る事が出来ます。シーケンスとして、基板レベル又はウェーハーレベルに於いてもチップの加熱工程は１回のみ実行されます。エリア領域での加熱処理とは対照的に、ローカル領域でのレーザーアシスト加熱では熱膨張効果が低減されます。ボンディング後のチップ間の距離は僅か500μmに制御され、隣接したハンダドット箇所に於いては、再溶融から確実に回避されます。

アプリケーションと材料の観点から、２種類のレーザーアシスト技術を提供します。チップと基板が波長に対して透過(石英ガラス、サファイアなど)するものであれば、照射レーザーのエネルギーは吸収される事なく、ハンダに対して直接加熱処理を行います。非透過材料(シリコン、Ply-Si、GaAsなど)の場合には、照射レーザーのエネルギーをボンディングプロセスの為の部分的な加熱処理として利用します。