Технология лазерной сварки

Авторы: Dr. Carlo Pagano

Краткое изложение: Технология лазерной сварки компании Finetech используется в приложениях типа «Chip to Substrate» и «Chip to Wafer», в которых требуется высокая скорость, максимальная точность и точно ограниченный подвод тепла. Особенно быстрые температурные циклы снижают риск процессов окисления и позволяют сократить время обработки в оптимизированных по времени условиях производства. Во время последовательных процессов монтажа каждый чип нагревается только один раз. В отличие от нагрева поверхности, точечный нагрев при помощи лазера не требует сложных мер предотвращения термически индуцированного расширения. При этом возможны расстояния между чипами до 500 мкм.

В замисимости от приложения и используемых материалов возможны два подхода. Если чип/подложка прозрачна для лазерного луча (плавленный кварц, сапфировое стекло и пр.), то энергия лазера проходит без поглощения и используется для непосредственного нагрева припоя. При непрозрачных материалах подложки (кремний, поликристаллический кремний, арсенид галлия и пр.) энергия лазера поглощается и преобразуется в локальный источник тепла, используемый для монтажа.