激光辅助芯片键合

作者: Dr. Carlo Pagano

摘要: Finetech激光辅助键合技术用于对速度、精度和局部甚至非常小区域的精确加热控制有高度需求的场合，例如芯片到热沉（C2S）、芯片到晶圆（C2W）键合。尤其是快速温度循环可减少表面氧化的风险，并缩短时间优先的生产环境中的工艺周期。在有序的基板级或晶圆级键合工艺中，每颗芯片只能被加热一次。与区域加热相反，激光局部加热不需要额外的措施避免热膨胀。芯片可以在仅500微米间距情况下键合，相邻的焊点不会出现（重新）融化的现象。

根据应用和材料的不同，支持两种技术。如果芯片/热沉对光的波长是透明的（例如石英玻璃，蓝宝石等），激光的能量直接穿过它们且没有显著的吸收效果，直接对焊料进行加热。对于非透明的基板材料（硅、 Ply-Si, 砷化镓等），激光的能量会被吸收并转化为键合过程中的局部热源。